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MJE200G PDF下载
- 大小：116K
- 厂家：ON Semiconductor
- 描述： RF Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:25V; Package/Case:TO-225; Power Dissipation, Pd:1.5W; DC Current Gain Min (hfe):45; Frequency Min:15MHz; Leaded Process Compatible:Yes ;RoHS Compliant: Yes
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